Die Studierenden kennen die elektrotechnischen Grundlagen für heutzutage genutzte Halbleiterbauelemente. Sie sind in der Lage, aus einer Vielzahl von Bauelementtypen die jeweils dem Problem entsprechende optimale Auswahl zu treffen. Sie haben Grund­kenntnisse über die Technologie zur Herstellung von Bauelementen und ebenso Grundkenntnisse über die kommenden Generationen von Bauelementen mit spezialisierten Funktionsumfängen.

Halbleiter:

Grundlagen, Bindungsmodell, Eigenleitung, Fremdleitung, Hall-Effekt, Bändermodell, Ferminiveau, Boltzmannverteilung, Fermiverteilung,

• pn-Diode: pn-Übergang, Diffusionsspannung, Diodenkennlinie, Raumladungszone, Sperrschichtkapazität, Diffusionskapazität thermisches Verhalten, Wärmewiderstand, Nichtidealitäten der realen pn-Diode, Rekombination in der Raumladunszone, Zener-Diode, Lawinen-Diode, pin-Diode, psn-Diode, Schottky Diode
• Bipolartransistor: Aufbau und Funktionsprinzip, Berechnung der Transistärströme, Kennlinien, Technologische Herstellung
• Feldeffekttransistor: Aufbau und Funktionsprinzip, Bauformen, IGFET, NIGFET, Materialwahl, Vergleich unterschiedlicher Typen, Vergleich mit Bip.Trans., Kennlinien
• Leistungselektronik: Thyristor, Diac, Triac, IGBT

• Serie Halbleiterelektronik, Springer Verlag:
• Band 1: R. Müller „Grundlagen der Halbleiterelektronik“
• Band 2 : R. Müller „Bauelemente der Halbleiterelektronik“
• K. Bystron / J. Borgmeyer „Grundlagen der Technischen Elektronik“